薄膜制备技术基础 原著第4版

1 (p1): 第1章 薄膜技术
1 (p1-1): 1．1生物计算（bio-computing）和薄膜技术
5 (p1-2): 1．2医用微型机械
8 (p1-3): 1．3人工脑的实现（μ-Electronics）
11 (p1-4): 1．4大型显示的实现
12 (p1-5): 1．5原子操控
14 (p1-6): 1．6薄膜技术概略
18 (p1-7): 参考文献
20 (p2): 第2章 真空的基础
20 (p2-1): 2．1真空的定义
22 (p2-2): 2．2真空的单位
23 (p2-3): 2．3气体的性质
24 (p2-3-1): 2．3．1平均速率va
25 (p2-3-2): 2．3．2分子直径δ
25 (p2-3-3): 2．3．3平均自由程L
26 (p2-3-4): 2．3．4碰撞频率Z
28 (-1): 2．4．1孔的流导
28 (-1-1): 2．4．2长管的流导（L／a≥100）
28 (-1-2): 2．4．3短管的流导
29 (-1-3): 2．4．4流导的合成
30 (-1): 参考文献
32 (p3): 第3章 真空泵和真空测量
32 (p3-1): 3．1真空泵
34 (p3-1-1): 3．1．1油封式旋片机械泵
36 (p3-1-2): 3．1．2油扩散泵
39 (p3-1-3): 3．1．3吸附泵
39 (p3-1-4): 3．1．4溅射离子泵
41 (p3-1-5): 3．1．5升华泵
42 (p3-1-6): 3．1．6冷凝泵
44 (p3-1-7): 3．1．7涡轮泵（分子泵）和复合涡轮泵
45 (p3-1-8): 3．1．8干式机械泵
48 (-1): 3．2．1热导型真空计
49 (-1-1): 3．2．2电离真空计——电离规
53 (-1-2): 3．2．3磁控管真空计
54 (-1-3): 3．2．4盖斯勒（Geissler）规管
55 (-1-4): 3．2．5隔膜真空计
56 (-1-5): 3．2．6石英晶振真空计
57 (-1-6): 3．2．7组合式真空规
58 (-1-7): 3．2．8真空计的安装方法
59 (-1): 3．3．1磁偏转型质谱仪
61 (-1-1): 3．3．2四极质谱仪
62 (-1-2): 3．3．3有机物质质量分析IAMS法
66 (p4): 第4章 真空系统
66 (p4-1): 4．1抽气的原理
68 (p4-2): 4．2材料的放气
72 (p4-3): 4．3抽气时间的推算
73 (p4-4): 4．4用于制备薄膜的真空系统
74 (p4-4-1): 4．4．1残留气体
75 (p4-4-2): 4．4．2用于制备薄膜的真空系统
77 (-1): 4．5．1检漏方法
79 (-1-1): 4．5．2检漏应用实例
83 (p5): 第5章 薄膜基础
83 (p5-1): 5．1气体与固体
84 (p5-1-1): 5．1．1化学吸附和物理吸附
88 (p5-1-2): 5．1．2吸附几率和吸附（弛豫）时间
91 (-1): 5．2．1核生长
92 (-1-1): 5．2．2单层生长
94 (-1): 5．3．1外延生长的温度
94 (-1-1): 5．3．2基板晶体的解理
96 (-1-2): 5．3．3真空度的影响
97 (-1-3): 5．3．4残留气体的影响
97 (-1-4): 5．3．5蒸发速率的影响
97 (-1-5): 5．3．6基板表面的缺陷——电子束照射的影响
98 (-1-6): 5．3．7电场的影响
98 (-1-7): 5．3．8离子的影响
98 (-1-8): 5．3．9膜厚的影响
98 (-1-9): 5．3．10晶格失配
99 (-1): 5．4．1一般材料的非晶化（非薄膜）
100 (-1-1): 5．4．2非晶的定义
100 (-1-2): 5．4．3非晶薄膜
101 (-1-3): 5．4．4非晶Si膜的多晶化
102 (-1): 5．5．1电导
103 (-1-1): 5．5．2电阻率的温度系数（TCR）
105 (-1-2): 5．5．3薄膜的密度
105 (-1-3): 5．5．4时效变化
106 (-1-4): 5．5．5电解质膜
108 (-1): 5．7电致徙动
110 (-2): 本章小结
112 (-3): 参考文献
114 (p6): 第6章 薄膜的制备方法
114 (p6-1): 6．1绪论
119 (p6-2): 6．2源和膜的组分——如何获得希望的膜的组分
119 (p6-2-1): 6．2．1蒸发和离子镀
120 (p6-2-2): 6．2．2溅射法
122 (-1): 6．3．1前处理
130 (-1-1): 6．3．2蒸发时的条件
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